Nicht flüchtiger Speicher ist oft die erste Auswahl der Produktion nach einem neuen Silizium-Herstellungsprozess.
Da dies eine risikoarme Entwicklung ist und nur einen Bruchteil der Kosten von einer CPU Entwicklung kostet, wird oft als erstes an einem neuen Speicherchip gearbeitet. Ein NAND-Flash-Chip ist im Wesentlichen ein Meer von Transistoren. So ist es nicht überraschend, dass die ersten Chips, welche auf 10 nm hergestellt werden, Intels neue 64-lagiger 3D-NAND-Flash-Speicher sein wird. Genau genommen sogar der erste seiner Art in dieser Größe.
Mit ihrem 10-nm-Prozess, führt Intel das FinFET Hyper Scaling ein. Intel erhöht die Transistordichte um das 2,7-fache über die vermutete, welche man von 10 nm traditionell erwartet hätte. Die ersten 10 nm 64-Schicht-3D-NAND-Flash-Chips werden kleiner sein, mit einer höheren Datendichte, wie es von einem neuen Prozess zu erwarten ist. Das erklärt, wieso die ersten SSDs, die mit diesen Chips gebaut werden, an Rechenzentren ausgerichtet sein werden.
