Samsung Electronics, der Weltmarktführer in der fortschrittlichen Speichertechnologie, gab heute bekannt, dass es die branchenweit leistungsstärkste NVMe Solid State Drive (SSD) auf Basis des unglaublich kleinen Small Form Factor (NGSFF) der nächsten Generation – einer NF1-SSD mit acht Terabyte (TB) – auf den Markt gebracht hat. Die neue 8TB NVMe NF1 SSD wurde für datenintensive Analyse- und Virtualisierungsanwendungen in Rechenzentren und Enterprise-Serversystemen der nächsten Generation optimiert.
„Mit der Einführung der ersten NF1 NVMe SSD bringt Samsung die Investitionseffizienz in Rechenzentren auf neue Höhen“, sagt Sewon Chun, Senior Vice President of Memory Marketing bei Samsung Electronics. „Wir werden weiterhin den Trend anführen, ultrahohe Leistung in Rechenzentren und Unternehmenssysteme zu ermöglichen, indem wir Speicherlösungen mit beispielloser Performance und Dichte anbieten.
Die neue SSD besteht aus 16 von Samsungs 512-Gigabyte (GB) NAND-Modulen, die jeweils in 16 Schichten mit 256 Gigabit (Gb) 3-Bit V-NAND-Chips gestapelt sind und eine Dichte von 8 TB bei einer ultra-kleinen Grundfläche von 11 cm x 3,05 cm erreichen. Das ist die doppelte Kapazität der M.2 NVMe SSD (11 cm x 2,2 cm), die häufig in hyperskaligen Server-Designs und ultraflachen Laptops verwendet wird. Die NF1 SSD soll herkömmliche 2,5-Zoll-NVMe-SSDs schnell und einfach ersetzen, indem sie eine bis zu dreifache Systemdichte in der bestehenden Server-Infrastruktur ermöglicht und damit einen beispiellosen Speicherplatz von 576 TB in den neuesten 2HE-Rackservern ermöglicht.
Die NF1 SSD verfügt über einen brandneuen, leistungsstarken Controller, der das NVMe 1.3 Protokoll und die PCIe 4.0 Schnittstelle unterstützt und sequentielle Lesegeschwindigkeiten von 3.100 Megabyte pro Sekunde (MB/s) und Schreibgeschwindigkeiten von 2.000 MB/s liefert. Diese Geschwindigkeiten sind mehr als das Fünffache bzw. Dreifache einer typischen SATA-SSD. Die Zufallsgeschwindigkeiten liegen bei 500.000 IOPS für Lesevorgänge und 50.000 IOPS für Schreibvorgänge. Mit der neuen NF1-Speicherlösung kann ein Enterprise-Server-System mehr als eine Million IOPS in einem 2HE-Rack ausführen, was den „Return on Investment“ für große Rechenzentren der nächsten Generation deutlich erhöht. Die SSD enthält außerdem einen 12 GB LPDDR4-DRAM, um eine schnellere und energieeffizientere Datenverarbeitung zu ermöglichen.
Um eine langfristige Datensicherheit zu gewährleisten, wurde die NF1 NVMe SSD mit einer Ausdauer von 1,3 Drive-Writes pro Tag (DWPD) entwickelt, die das Schreiben von 8 TB Daten 1,3 Mal pro Tag während der dreijährigen Garantiezeit garantiert.
Samsung plant, seine 256 Gb 3-Bit V-NAND-basierte SSD in der zweiten Hälfte dieses Jahres mit einer 512 Gb-Version zu begleiten, um eine noch schnellere Verarbeitung für große Datenanwendungen zu ermöglichen und gleichzeitig das Wachstum der nächsten Generation von Unternehmens- und Mittelstandsrechenzentren zu beschleunigen.
