December 21, 2022, KAWASAKI, Japan — Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation („Toshiba“) gab heute bekannt, dass das Unternehmen eine neue Back-End-Fertigungsanlage für Power-Halbleiter an seiner Halbleiteranlage Himeji in der Präfektur Hyogo im Westen von Japan bauen wird. Der Bau wird im Juni 2024 beginnen und die Produktion voraussichtlich im Frühling 2025. Im Zuge des Projekts wird sich Toshibas Produktionskapazität für Halbleiter für die Automobilindustrie am Standort Himeji gegenüber dem Geschäftsjahr 2022 mehr als verdoppeln.
Stromgeräte sind wesentliche Komponenten zur Verwaltung und Reduzierung des Stromverbrauchs bei allen Arten von elektronischen Geräten, und um Energie zu sparen. Angesichts des Fortschritts im Bereich Fahrzeugelektrisierung und der Automatisierung von Industrieausrüstungen wird für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors, MOSFETs), die unter Niederspannung arbeiten – eine Kerntechnologie von Toshiba – eine kontinuierlich steigende Nachfrage erwartet, die alle anderen Produkte übertrifft. Toshiba hat entschieden, dieser Nachfragesteigerung durch den Bau einer neuen Back-End-Anlage zu entsprechen.
Als Reaktion auf die rapide wachsende Nachfrage und als Beitrag zur Kohlenstoffneutralität wird Toshiba in der Zukunft durch ein Angebot hocheffizienter, hochverlässlicher Produkte sein Power-Halbleiter-Geschäft erweitern und seine Konkurrenzfähigkeit stärken.
Halbleiter-Betrieb Himeji – Überblick
Ort: 300, Ikaruga, Taishi-cho, Ibo-gun, Präfektur Hyogo, Japan
Eröffnung: April 1982
General Manager: Noriyasu Kurihara
Mitarbeiter: Ungefähr 1.400 (Stand April 2022)
Kernprodukte: Diskrete Halbleiter (Power-Halbleiter und Kleinsignal-Geräte)
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