TSMC war bisher sehr aggressiv bei seinem Ansatz zur Siliziumherstellung, mittlerweile mit mehr Investitionen in seine Forschung und Entwicklung, welche nun den Investitionen von Intel entsprechen oder diese sogar übertreffen. Das deutet auf eine starke Nachfrage nach neuen Technologien hin. TSMC wird nicht beim endlosen Wettlauf um mehr Leistung und kleinere Knotengrößen hinterherlaufen.
Laut den Quellen bei DigiTimes hat TSMC bis zu 30 Hektar Land im Süd-Taiwan Science Park erworben, um mit dem Bau seiner Fabriken zu beginnen, die 2023 mit der Herstellung von hochvolumigen 3 nm-nodes anfangen sollen. Der Bau der 3 nm Produktionsanlagen soll im Jahr 2020 starten, wenn TSMC die Grundlagen für die neue Fabrik legt. Der 3 nm Halbleiterknoten wird der dritte Versuch der EUV-Lithographie von TSMC sein, gleich nach den ebenfalls auf EUV-Technologie basierenden 7 nm+ und 5 nm nodes.
